InGaAs 56G PIN PD (?16μm)

InGaAs 56G PIN PD (?16μm).jpg


產品特點：

該產品光敏面直徑為16μm，P/N電極位于同側，GSG結構，具有高響應度、低暗電流等特點。

應用范圍：

數據中心：200G LR4，400G LR4

上一篇：InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (?20um) 下一篇：InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (?16um)