InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(?12 μm)

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InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(Φ12 μm)-1.jpg


產品特點：

該產品光敏面直徑為12um，P/N電極位于異側，GS結構；具有高倍增、低暗電流等特點。

應用范圍：

50G PON、100G ER4

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