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激光雷達芯片系列
光通信和氣體等傳感芯片系列
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硅光集成系列
  • P/N: GTPD20GA1_250

    InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=250um) (?20μm)

    產品特點:

    該產品光敏面直徑為20μm,P/N電極位于同側,GSG結構,4x56G陣列芯片間距250um;具有高響應度,低暗電流等特點。

    應用范圍:

    100G CWDM4、100G LR4。

  • P/N: GTPD20GA1_750

    InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=750um) (?20μm)

    產品特點:

    該產品光敏面直徑為20μm,P/N電極位于同側,GSG結構,4x56G陣列芯片間距750um;具有高響應度,低暗電流等特點。

    應用范圍:

    100G CWDM4、100G LR4。

  • P/N: GTPD50V4

    InGaAs 10G PIN PD (?50μm)

    產品特點:

    該產品光敏面直徑為50μm,P/N電極位于同側,GS電極結構;具有高響應度,低暗電流等特點。

    應用范圍:

    10G 數據傳輸,無線通訊

  • P/N: GTANPD60V1

    2.5G Analog PIN PD (?60 μm)

    產品特點:

    該產品光敏面直徑為60μm,上下電極結構;具有高響應度、低暗電流、低二階、三階交調失真等特點。

    應用范圍:

    CATV模擬光接收、模擬視頻。

  • P/N: GTANPD80V2

    2.5G Analog PIN PD (?80 μm)

    產品特點:

    該產品光敏面直徑為80μm,上下電極結構;具有高響應度、低暗電流、低二階、三階交調失真等特點。

    應用范圍:

    CATV模擬光接收、模擬視頻。

  • P/N: GTPD80V2

    2.5G PIN PD (?80 μm)

    產品特點:

    該產品光敏面直徑為80μm,上下電極結構;具有高響應度、低暗電流等特點。

    應用范圍:

    低速光模塊、FTTR。

  • P/N: GTPD32AV1_250_1x4

    850nm/910nm InGaAs PD Array (100Gbps PAM4)

    產品特點:

    該產品光敏面直徑為32um,P/N電極位于同側,GSG結構,4x56G陣列芯片間距250um;具有高響應度(850nm/910nm/1310nm),低暗電流等特點。

    應用范圍:

    400G SR4,800G SR4

  • P/N: GTEMPD230V1

    InGaAs Edge-Coupled PD Chip

    產品特點:

    該產品側面感光區域180x60μm,P/N電極位于正面,具有高響應度,低暗電流等特點。

    應用范圍:

    側邊耦合,激光光功率監測;光功率計

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