光通信和氣體等傳感芯片系列-浙江光特科技有限公司

激光雷達芯片系列

光通信和氣體等傳感芯片系列

TO產品系列

硅光集成系列

P/N:GTBAPDA12V1

InGaAs Bottom-illuminated 25G APD Chip(Φ12 μm)
產品特點：
該產品光敏面直徑為12um，背面集成透鏡，P/N電極位于異側，GS結構；具有高倍增、低電容、低溫度系數等特點。
應用范圍：
25G PON、5G無線通訊、100G ER4
P/N:GTBAPDA12V2

InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(Φ12 μm)
產品特點：
該產品光敏面直徑為12um，P/N電極位于異側，GS結構；具有高倍增、低暗電流等特點。
應用范圍：
50G PON、100G ER4
P/N: GTAPD36V1

InGaAs 10G APD (?36 μm)
產品特點：
該產品光敏面直徑為36μm，上下電極結構；具有高響應度、低暗電流等特點。
應用范圍：
10G PON(XGS OLT/10G EPON OLT) Class C+
P/N: GT10GCSAPD50V2_D

InGaAs 10G APD (?50 μm)
產品特點：
該產品光敏面圓形，直徑為50μm，上下電極結構；具有高響應度、低暗電流等特點。
應用范圍：
10G PON ONU
P/N: GTAPD50V1

InGaAs 2.5G APD(?50 μm)
產品特點：
該產品光敏面圓形，直徑為50μm，上下電極結構；具有高響應度、低暗電流等特點。
應用范圍：
GPON ONU，2.5G光模塊。
P/N: GTBPD12V1

InGaAs 200Gbps PIN PD Chip(?12um)
產品特點：
該產品光敏面直徑為12μm，背面集成透鏡，P/N電極位于同側，GSG結構；具有高響應度，低暗電流等特點。
應用范圍：
800G、1.6T以太網
P/N: GTBPD12V1_750_1x4

lnGaAs 4x200Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (?12um)
產品特點：
該產品光敏面直徑為12um，背面集成透鏡，P/N電極位于同側，GSG結構，4x100G陣列芯片間距750um；具有高響應度，低暗電流等特點。
應用范圍：
800G、1.6T以太網
P/N: GTPD20V1

InGaAs 56Gbps PIN PD Chip (?20um)
產品特點：
該產品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側，GSG結構；具有高響應度、低暗電流等特點。
應用范圍：
數據中心：200G LR4、400G LR4。