光通信和氣體等傳感芯片系列-浙江光特科技有限公司

激光雷達芯片系列

光通信和氣體等傳感芯片系列

TO產品系列

硅光集成系列

P/N: GTPD20AV1_250_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (?20um)
產品特點：
該產品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側，GSG結構，4x56G陣列芯片間距250um；具有高響應度、低暗電流等特點。
應用范圍：
數據中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD20AV1_500_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=500um) (?20um)
產品特點：
該產品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側，GSG結構，4x56G陣列芯片間距500um；具有高響應度、低暗電流等特點。
應用范圍：
數據中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD20AV1_750_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (?20um)
產品特點：
該產品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側，GSG結構，4x56G陣列芯片間距750um；具有高響應度、低暗電流等特點。
應用范圍：
數據中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD16V1

InGaAs 56G PIN PD (?16μm)
產品特點：
該產品光敏面直徑為16μm，P/N電極位于同側，GSG結構，具有高響應度、低暗電流等特點。
應用范圍：
數據中心：200G LR4，400G LR4
GTPD16AV1_250_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (?16um)
產品特點：
該產品光敏面直徑為16um，P/N電極位于同側，GSG結構，4x56G陣列芯片間距250um；具有高響應度，低暗電流等特點。
應用范圍：
數據中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD16AV1_500_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=500um) (?16um)
產品特點：
該產品光敏面直徑為16um，P/N電極位于同側，GSG結構，4x56G陣列芯片間距500um；具有高響應度，低暗電流等特點。
應用范圍：
數據中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD16AV1_750_1x4

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (?16um)
產品特點：
該產品光敏面直徑為16um，P/N電極位于同側，GSG結構，4x56G陣列芯片間距750um；具有高響應度，低暗電流等特點。
應用范圍：
數據中心：200G LR4，400G LR4
P/N: GTPD20G1

InGaAs 25G PIN PD (?25μm)
產品特點：
該產品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側，GSG結構，具有高響應度、低暗電流等特點。
應用范圍：
5G無線通訊、100G CWDM4、100G LR4。