850nm/910nm InGaAs PD Array (100Gbps PAM4)

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產品特點:

該產品光敏面直徑為32um,P/N電極位于同側,GSG結構,4x56G陣列芯片間距250um;具有高響應度(850nm/910nm/1310nm),低暗電流等特點。

應用范圍:

400G SR4,800G SR4