lnGaAs 4x200Gbps PIN PD Array(pitch=750um) (?12um)

GTBPD12V1_750_1x4芯片圖.png


產品特點：

該產品光敏面直徑為12um，背面集成透鏡，P/N電極位于同側，GSG結構，4x100G陣列芯片間距750um；具有高響應度，低暗電流等特點。

應用范圍：

800G、1.6T以太網


上一篇：InGaAs 200Gbps PIN PD Chip(?12um) 下一篇：InGaAs 56Gbps PIN PD Chip (?20um)