InGaAs ?230 μm QAPD

InGaAs Φ230 μm QAPD.jpg


產品特點:

響應時間短、暗電流低、低串擾和25μm間隔的四象限QAPD,可靠性設計時使PN結和倍增層均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏電流,提高器件的可靠性。

應用范圍:

目標定位、光電跟蹤、微弱信號目標精密跟蹤探測等。