InGaAs Top-illuminated 25G APD Chip(?16 μm)

image.png

產品特點：

該產品光敏面直徑為16um，P/N電極位于異側，GS結構；具有高倍增、低暗電流等特點。

應用范圍：

5G無線通訊、100G ER4、25G PON


上一篇：2.2 μm Long Wavelength ?1000 μm PD 下一篇：沒有了