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InGaAs 10G APD (?50 μm)

InGaAs 10G APD (?50 μm).jpg


產(chǎn)品特點：

該產(chǎn)品光敏面圓形，直徑為50μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有高響應度、低暗電流等特點。

應用范圍：

10G PON ONU

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