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InGaAs ?230 μm QAPD

InGaAs Φ230 μm QAPD.jpg


產(chǎn)品特點(diǎn):

響應(yīng)時(shí)間短、暗電流低、低串?dāng)_和25μm間隔的四象限QAPD,可靠性設(shè)計(jì)時(shí)使PN結(jié)和倍增層均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏電流,提高器件的可靠性。

應(yīng)用范圍:

目標(biāo)定位、光電跟蹤、微弱信號(hào)目標(biāo)精密跟蹤探測(cè)等。