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激光雷達(dá)芯片系列

光通信和氣體等傳感芯片系列

TO產(chǎn)品系列

硅光集成系列

P/N: GTFLMPD100V1

InGaAs 100 μm Flip MPD
產(chǎn)品特點(diǎn)：
該產(chǎn)品光敏面直徑為100μm，背照式結(jié)構(gòu)；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
應(yīng)用范圍：
激光背面光功率監(jiān)測(cè)、光功率計(jì)等。
P/N: GTSMPD200V2

InGaAs 200 μm MPD
產(chǎn)品特點(diǎn)：
該產(chǎn)品光敏面為方形，長(zhǎng)為200μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
應(yīng)用范圍：
激光背面光功率監(jiān)測(cè)、光功率計(jì)等。
P/N: GTMPD250V1

InGaAs 250 μm MPD
產(chǎn)品特點(diǎn)：
該產(chǎn)品光敏面為方形，長(zhǎng)為250μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
應(yīng)用范圍：
激光背面光功率監(jiān)測(cè)、光功率計(jì)等。
GTMPD300V2

InGaAs ?300 μm MPD
產(chǎn)品特點(diǎn)：
該產(chǎn)品光敏面直徑為300μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
應(yīng)用范圍：
激光背面光功率監(jiān)測(cè)、光功率計(jì)等。
P/N: GTLMPD1000V2

InGaAs ?1000 μm MPD
產(chǎn)品特點(diǎn)：
該產(chǎn)品光敏面為圓形，直徑為1000μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
應(yīng)用范圍：
激光背面光功率監(jiān)測(cè)、光功率計(jì)等。
P/N: GTSMMPD250V3

Methane detection 250 μm PD
產(chǎn)品特點(diǎn)：
該產(chǎn)品光敏面為方形250μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有低的暗電流以及高的響應(yīng)度，在-40℃、1654nm下依舊具有高響應(yīng)。
應(yīng)用范圍：
背光監(jiān)測(cè)、甲烷氣體探測(cè)。
P/N: GTMMPD250V3

Methane detection ?250 μm PD
產(chǎn)品特點(diǎn)：
該產(chǎn)品光敏面為圓形，直徑為250μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有低的暗電流以及高的響應(yīng)度，在-40℃、1654nm下依舊具有高響應(yīng)。
應(yīng)用范圍：
背光監(jiān)測(cè)、甲烷氣體探測(cè)。
P/N: GTMMPD500V3

Methane detection ?500 μm PD
產(chǎn)品特點(diǎn)：
該產(chǎn)品光敏面為圓形，直徑為500μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有低的暗電流以及高的響應(yīng)度，在-40℃、1654nm下依舊具有高響應(yīng)。
應(yīng)用范圍：
背光監(jiān)測(cè)、甲烷氣體探測(cè)。

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InGaAs 100 μm Flip MPD

產(chǎn)品特點(diǎn)：

應(yīng)用范圍：

InGaAs 200 μm MPD

產(chǎn)品特點(diǎn)：

應(yīng)用范圍：

InGaAs 250 μm MPD

產(chǎn)品特點(diǎn)：

應(yīng)用范圍：

InGaAs ?300 μm MPD

產(chǎn)品特點(diǎn)：

應(yīng)用范圍：

InGaAs ?1000 μm MPD

產(chǎn)品特點(diǎn)：

應(yīng)用范圍：

Methane detection 250 μm PD

產(chǎn)品特點(diǎn)：

應(yīng)用范圍：

Methane detection ?250 μm PD

產(chǎn)品特點(diǎn)：

應(yīng)用范圍：

Methane detection ?500 μm PD

產(chǎn)品特點(diǎn)：

應(yīng)用范圍：