該產(chǎn)品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，4x56G陣列芯片間距250um；具有高響應(yīng)度，低暗電流等特點(diǎn)。
100G CWDM4、100G LR4。
該產(chǎn)品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，4x56G陣列芯片間距750um；具有高響應(yīng)度，低暗電流等特點(diǎn)。
100G CWDM4、100G LR4。
該產(chǎn)品光敏面直徑為50μm，P/N電極位于同側(cè)，GS電極結(jié)構(gòu)；具有高響應(yīng)度，低暗電流等特點(diǎn)。
10G 數(shù)據(jù)傳輸，無線通訊
該產(chǎn)品光敏面直徑為60μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有高響應(yīng)度、低暗電流、低二階、三階交調(diào)失真等特點(diǎn)。
CATV模擬光接收、模擬視頻。
該產(chǎn)品光敏面直徑為80μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有高響應(yīng)度、低暗電流、低二階、三階交調(diào)失真等特點(diǎn)。
CATV模擬光接收、模擬視頻。
該產(chǎn)品光敏面直徑為80μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
低速光模塊、FTTR。
該產(chǎn)品光敏面直徑為32um，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，4x56G陣列芯片間距250um；具有高響應(yīng)度(850nm/910nm/1310nm)，低暗電流等特點(diǎn)。
400G SR4，800G SR4
該產(chǎn)品側(cè)面感光區(qū)域180x60μm，P/N電極位于正面，具有高響應(yīng)度，低暗電流等特點(diǎn)。
側(cè)邊耦合，激光光功率監(jiān)測；光功率計(jì)
公眾號二維碼
官網(wǎng)二維碼