該產(chǎn)品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，4x56G陣列芯片間距250um；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
數(shù)據(jù)中心：200G LR4，400G LR4
該產(chǎn)品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，4x56G陣列芯片間距500um；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
數(shù)據(jù)中心：200G LR4，400G LR4
該產(chǎn)品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，4x56G陣列芯片間距750um；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
數(shù)據(jù)中心：200G LR4，400G LR4
該產(chǎn)品光敏面直徑為16μm，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
數(shù)據(jù)中心：200G LR4，400G LR4
該產(chǎn)品光敏面直徑為16um，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，4x56G陣列芯片間距250um；具有高響應(yīng)度，低暗電流等特點(diǎn)。
數(shù)據(jù)中心：200G LR4，400G LR4
該產(chǎn)品光敏面直徑為16um，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，4x56G陣列芯片間距500um；具有高響應(yīng)度，低暗電流等特點(diǎn)。
數(shù)據(jù)中心：200G LR4，400G LR4
該產(chǎn)品光敏面直徑為16um，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，4x56G陣列芯片間距750um；具有高響應(yīng)度，低暗電流等特點(diǎn)。
數(shù)據(jù)中心：200G LR4，400G LR4
該產(chǎn)品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。
5G無(wú)線通訊、100G CWDM4、100G LR4。
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