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InGaAs 500 μm APD

InGaAs 500 μm APD.jpg


產(chǎn)品特點(diǎn):

該產(chǎn)品為方形500 μm APD,上下電極結(jié)構(gòu),具有高的占空比以及低電容等特點(diǎn)。

應(yīng)用范圍:

距離測量、空間光傳輸、光時(shí)域反射計(jì)、低級光探測、激光雷達(dá)等。