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InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (?20um)

InGaAs 4x56Gbps PIN PD Array(pitch=250um) (?20um).jpg


產(chǎn)品特點(diǎn)：

該產(chǎn)品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側(cè)，GSG結(jié)構(gòu)，4x56G陣列芯片間距250um；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。

應(yīng)用范圍：

數(shù)據(jù)中心：200G LR4，400G LR4


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