国产精品国产三级在线专区|村上丽奈快播|日本动漫精品v大全|天天在线天天看成人免费视频|俺去也老色哥|免费听了会硬的声音bilibili|国产精品午夜福利

InGaAs 10G APD (?36 μm)

InGaAs 10G APD (?36 μm).jpg


產(chǎn)品特點(diǎn)：

該產(chǎn)品光敏面直徑為36μm，上下電極結(jié)構(gòu)；具有高響應(yīng)度、低暗電流等特點(diǎn)。

應(yīng)用范圍：

10G PON(XGS OLT/10G EPON OLT) Class C+

上一篇：InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(?12 μm) 下一篇：InGaAs 10G APD (?50 μm)