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InGaAs Top-illuminated 25G APD Chip(?16 μm)

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產(chǎn)品特點：

該產(chǎn)品光敏面直徑為16um，P/N電極位于異側，GS結構；具有高倍增、低暗電流等特點。

應用范圍：

5G無線通訊、100G ER4、25G PON


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