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InGaAs 10G APD (?36 μm)

InGaAs 10G APD (?36 μm).jpg


產(chǎn)品特點：

該產(chǎn)品光敏面直徑為36μm，上下電極結構；具有高響應度、低暗電流等特點。

應用范圍：

10G PON(XGS OLT/10G EPON OLT) Class C+

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