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InGaAs Top-illuminated 25G APD Chip(?16 μm)

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產品特點:

該產品光敏面直徑為16um,P/N電極位于異側,GS結構;具有高倍增、低暗電流等特點。

應用范圍:

5G無線通訊、100G ER4、25G PON