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InGaAs Top-illuminated 25G APD Chip(?16 μm)

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產(chǎn)品特點(diǎn):

該產(chǎn)品光敏面直徑為16um,P/N電極位于異側(cè),GS結(jié)構(gòu);具有高倍增、低暗電流等特點(diǎn)。

應(yīng)用范圍:

5G無線通訊、100G ER4、25G PON