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InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=250um) (?20μm)

InGaAs 4x25G PIN PD Array(pitch=250um) (?20μm).jpg


產品特點：

該產品光敏面直徑為20μm，P/N電極位于同側，GSG結構，4x56G陣列芯片間距250um；具有高響應度，低暗電流等特點。

應用范圍：

100G CWDM4、100G LR4。

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