国产精品国产三级在线专区|村上丽奈快播|日本动漫精品v大全|天天在线天天看成人免费视频|俺去也老色哥|免费听了会硬的声音bilibili|国产精品午夜福利

InGaAs Bottom-illuminated 25G APD Chip(?12 μm)

InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(Φ12 μm).jpg


InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(Φ12 μm)-1.jpg


產(chǎn)品特點(diǎn)：

該產(chǎn)品光敏面直徑為12um，背面集成透鏡，P/N電極位于異側(cè)，GS結(jié)構(gòu)；具有高倍增、低電容、低溫度系數(shù)等特點(diǎn)。

應(yīng)用范圍：

25G PON、5G無線通訊、100G ER4

上一篇：沒有了 下一篇：InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(?12 μm)