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InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(?12 μm)

InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(Φ12 μm).jpg


InGaAs Bottom-illuminated 50G APD Chip(Φ12 μm)-1.jpg


產(chǎn)品特點(diǎn)：

該產(chǎn)品光敏面直徑為12um，P/N電極位于異側(cè)，GS結(jié)構(gòu)；具有高倍增、低暗電流等特點(diǎn)。

應(yīng)用范圍：

50G PON、100G ER4

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